هوآوی میت 9 مجهز به پردازنده کرین ۹۷۰ با لیتوگرافی ۱۰ نانومتری TSMC خوهد شد
بسیاری از کاربران منتظر پرچمدار جدید هوآوی از سری میت هستند. این طور که معلوم است در نیمهی دوم سال 2016 میلادی فبلتهای Mate S2 و Mate 9 معرفی خواهند شد. گفته میشود فبلت میت 9 که در اواخر سال جاری باید منتظر آن باشیم، به پردازندهی کرین ۹۷۰ با لیتوگرافی ۱۰ نانومتری TSMC مجهز خواهد شد. میت 8 که در سال گذشته رونمایی شد ، یکی از گوشیهای پر طرفدار هواوی است. البته از طرفی هم باید به میت اس اشاره کنیم که براساس اخباری که تا کنون در دسترس داریم این برند چینی قرار است در نیمهی دوم سال ۲۰۱۶ میلادی از دو فبلت جدید خود از سری میت به نامهای میت 9 و میت اس 2 رونمایی کند.
این خبر در شبکهی اجتماعی Weibo توسط یکی از منابع داخلی هواوی منتشر شد. او ادعا می کند که گوشی هوشمند میت 9 هواوی از یک پردازندهی کرین ۹۷۰ بر پایهی لیتوگرافی ۱۰ نانومتری FinFET بهره خواهد برد. و همچنین وی اعلام کرده که هلیو ایکس ۳۰ که یکی از تراشههای قدرتمند کمپانی تایوانی مدیاتک است،قرار است در آینده همراه محصولات رده بالای هواوی باشد. البته تا قبل از این خبر شایعاتی منتشر شده بود که پرچمداران آتی هواوی از پردازندهی کرین ۹۶۰ بهره میگیرند. و همینطور انتظار میرود تراشهی کرین ۹۶۰ دارای هستههای Cortex A73 Artemis آرم و هستههای Cortex A53 با معماری big.LITTLE باشد که روی آن از یک پردازندهی گرافیکی ارتقا یافته و مودم LTE جدید مبتنی بر CDMA و Cat. 12 استفاده خواهد شد. و اینگونه به نظر می رسد که این پردازنده بر پایهی لیتوگرافی ۱۶ نانومتری TSMC تولید میشود.
با توجه به شایعات جدیدی که این روز ها شنیده می شود ، این احتمال وجود دارد که کمپانی هواوی از کرین ۹۶۰ برای محصولات میانردهی قدرتمند خود استفاده کند و کرین ۹۷۰ را برای میت اس 2 و میت 9 در نظر بگیرد.
طی اخبار منتشر شده تا به حال ، انتظار می رود که در هفتهی اول ماه سپتامبر (احتمالا در جریان IFA 2016 برلین) میت اس 2 رونمایی شود و همچنین میت 9 در بازهی زمانی نوامبر تا دسامبر رونمایی شود.
دیدگاهتان را بنویسید